35N60C3
35N60C3属性
- TO-247
- INFINEON英飞凌
35N60C3描述
供应原装进口INFINEON英飞凌大功率MOS管丝印35N60C3
英飞凌三极管丝印35N60C3品牌INFINEON
丝印35N60C3封装TO-247
丝印35N60C3参数650V 34.6A
深圳市兴科泰科技有限公司
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DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。
优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
凭借极简、模块化、可扩展以及完全开源等多项优势,RISC-V被英飞凌三极管丝印35N60C3业界认为是非常适合于物联网等嵌入式应用以及对计算性能、功耗和灵活性要求较高应用场景的指令集,对于广大芯片设计厂商来说,也是区别英飞凌三极管丝印35N60C3于ARM、MIPS等架构更为经济实惠的选择。但尽管RISC-V指令集应用优势众多,其高度的开源及可扩展性反过来也催生了一定的碎片化风险;另一方面,与成英飞凌三极管丝印35N60C3熟的x86和Arm架构相比,RISC-V当前在软件生态、操作系统支持还是微架构等方面也不成熟,这就使得IoT芯片设计中最敏感的安全问题也难以英飞凌三极管丝印35N60C3覆盖到。RISC-V究竟该如何破除这些质疑和禁锢,借力物联网等新兴市场迈向真正意义英飞凌三极管丝印35N60C3上的大发展,是当下整个芯片产业密切关注的话题。