IKW40N120T2

IKW40N120T2属性

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IKW40N120T2描述

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
Pd-功率耗散: 480 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封装: Tube
高度: 20.9 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 5.03 mm
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962
单位重量: 38 g
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