美国Graphene supermarket
美国Graphene supermarket属性
- 价格面议
- 仪器
- 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P
- 价格面议
- 美国Graphene supermarket
美国Graphene supermarket描述
美国Graphene supermarket双层CVD石墨烯薄膜层CVD石墨烯薄膜石墨烯/H-BN薄膜:
单层H-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285纳米(p掺杂)SiO2/Si晶片上
尺寸:1cmx1cm;8包
薄膜是连续的,带有小孔和有机残留物。
石墨烯薄膜为牙前单层(95%以上),偶尔有小的多层岛(5%以下为双层)。
片电阻:430-800Ω/平方
以下所示的每张胶片的转移
在铜箔上通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜和H-BN薄膜,然后转移到SiO2/Si晶片上。
欲了解转移前薄膜的特性,请参阅我们的相关产品:铜箔上的石墨烯和铜箔上的H-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性:
氧化物厚度:285纳米
氧化物厚度:285纳米
颜色:紫色
晶片厚度:525微米
电阻率:0.001-0.005ohm-cm
类型/掺杂剂:P/硼
方向:<100>
前表面:抛光
背面:蚀刻
美国Graphene supermarket相关产品
联系方式
同类产品
- 美国ACS Material
- 美国2Dsemiconductors
- 美国Graphene supermarket石墨烯薄膜
- IXGH6N170A
- SLA6020
- 美国ACS Material石墨烯
- Graphene supermarket石墨烯薄膜
- ACS Material石墨烯
- 2Dsemiconductors石墨烯薄膜
- BC850BLT1G
- 美国2Dsemiconductors石墨烯薄膜
- 美国ACS Material石墨烯
- SCT2160KEC
- 选择器开关 LTC4411ES5#TRMPBF 控制器
- 电源控制器 LTC4403-1EMS8#TRPBF
- 电路保护 LTC4366MPTS8-1#TRMPBF
- 电路保护 LT4363IMS-1#PBF
- 解调器 LT5502EGN#TRPBF 射频
- LT5506EUF#PBF 射频/IF 和 RFID
- 混频器 LT5511EFE#TRPBF