IPP086N10N3G

IPP086N10N3G属性

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IPP086N10N3G描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降时间: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 42 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPP086N10N3GXKSA1 IPP86N1N3GXK SP000680840
单位重量: 6 g

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