IPW60R041C6
IPW60R041C6属性
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IPW60R041C6描述
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 77.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 41 毫欧 @ 44.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 2.96mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6530pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 481W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
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