IPB072N15N3G
IPB072N15N3G属性
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IPB072N15N3G描述
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 37.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.85 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降时间: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: IPA086N10N3GXKSA1 IPA86N1N3GXK SP000485984
单位重量: 6 g
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