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DRV5032FCDBZR

DRV5032FCDBZR产品图片
  • 发布时间:2018/12/27 16:56:00
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市烨弘轩电子有限公司
  • 联 系 人:肖【只只原装 片片原厂】
  • DRV5032FCDBZR供应商

DRV5032FCDBZR属性

  • 联系我们获得最低
  • 电池至关重要的位置传感
  • 集成电路(IC)
  • 市场最低
  • Texas Instruments

DRV5032FCDBZR描述

TexasInstrumentsDRV5032霍尔效应开关传感器是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,设计用于超级紧凑和电池敏感型系统。该器件有多种采样率、输出驱动器和封装可供选择,适用于各种应用。当施加的磁通密度超过BOP阈值时,器件输出驱动低电压。输出保持低电平,直至磁通密度降至BRP以下,然后输出将驱动高电压或变为高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗。可提供全极和双单极磁响应。
特性行业领先的超低功耗5Hz版本:0.54μA(1.8V)
20Hz版本:1.6μA(3V
工作VCC范围:1.65V-5.5V
磁阈值(典型BOP)3mT,高灵敏度
全极和双单极选项
20Hz和5Hz采样速率选项
开漏和推挽输出选项
SOT-23和X2SON封装选项
工作温度范围:–40°C至+85°C

应用电池至关重要的位置传感
电表篡改检测
手机、笔记本电脑或平板电脑保护套传感
电子锁、烟雾探测器、家用电器
医疗设备、物联网系统
阀门或电磁阀位置检测
非接触诊断或激活


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