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DRV5012AEDMRT

DRV5012AEDMRT产品图片
  • 发布时间:2018/12/27 16:40:02
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市烨弘轩电子有限公司
  • 联 系 人:肖【只只原装 片片原厂】
  • DRV5012AEDMRT供应商

DRV5012AEDMRT属性

  • 联系我们获得最低
  • 个人电子产品 ◦电视、平板电脑、手机
  • 霍尔效应传感器
  • 市场最低
  • Texas Instruments

DRV5012AEDMRT描述

TexasInstrumentsDRV5012超低功耗数字锁存霍尔效应传感器设有引脚可选的采样率。当南极靠近封装顶部,超出BOP阈值时,该器件驱动低电压。输出一直较低,直到应用北极且达到BRP阈值,导致输出驱动高电压。切换输出需要南北极交替,集成滞后功能将BOP和BRP分离,确保可靠开关。DRV5012器件使用内部振荡器对磁场进行采样并更新输出,采样率为20Hz或2.5kHz,具体取决于SEL引脚。该双带宽功能让系统可在功耗最低的情况下监视移动的变化。
•行业领先的低功耗
•引脚可选的采样率◦SEL=低:20Hz,消耗1.3μA电流(1.8V)
◦SEL=高:2.5kHz,消耗142μA电流(1.8V)
•VCC工作电压:1.65V至5.5V
•高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
•坚固的滞后:4mT(典型值)
•推挽式CMOS输出
•轻薄小巧的X2SON封装
•工作温度范围:–40°C至+85°C
应用
•个人电子产品◦电视、平板电脑、手机
◦可穿戴设备
◦无人机、玩具
◦家电和厨房电器
•楼宇自动化◦HVAC、烟雾探测器
◦电池电压和电流监控
◦温度传感
◦电池供电、便携式仪器仪表


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