IPW65R041CFD

IPW65R041CFD属性

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IPW65R041CFD描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 68.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 300 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
系列: CoolMOS CFD2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降时间: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
零件号别名: IPW65R041CFD IPW65R41CFDXK SP000756

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