晶体管 FDMS7694 半导体产品

晶体管 FDMS7694 半导体产品属性

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晶体管 FDMS7694 半导体产品描述

FDMS7694介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V POWER56

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 13.2A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.2A（Ta），20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.5 毫欧 @ 13.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1410pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），27W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-PQFN（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

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