晶体管 FDMC8200 FET-MOSFET

晶体管 FDMC8200 FET-MOSFET属性

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晶体管 FDMC8200 FET-MOSFET描述

FDMC8200介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

制造商标准提前期 18 周

详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6A，8.5A 700mW，1W 表面贴装 8-Power33（3x3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，8.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 15V

功率 - 最大值 700mW，1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-PowerWDFN

供应商器件封装 8-Power33（3x3）

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