晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220

晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220属性

---

晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220描述

STMicroelectronics - STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的领导者。 凭借在硅晶和系统专业知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用

制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP26NM60N
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 pval(2068) 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

一般信息
数据列表 STB,F,P26NM60N;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 165 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 60nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


公司简介：深圳市瑞祺芯科技有限公司成立于2008年是一家亚太区优秀的电子零部件独立分销商，是一家专门经营各类电子元件（集成电路IC存储芯片 分立器件，电源，无源元件，连接器，继电器，传感器，电子，开关，保险元件，紧固件，开发工具，变压器 测试与测量等）立足深圳，面向国际市场，公司一惯坚持：“诚信为本”“以芯换心”的经营理念,全心全意为客户服务是我们的宗旨.公司常备现货库存并在亚洲.欧美有着良好的供货渠道,还有稳定的OEM客户关系。公司还特别拥有偏冷门，停产，紧缺，禁运，军工类IC的供应渠道。在香港成立采购中心和进出口中心，在中国深圳成立销售中心，确保拿到有竞争力的产品与价格，赢得广大客户一致的信赖和好评。
公司主营：主营（TI、AD、SN、ST、IR、NEC、AVX、PHILIPS、SNUSNG、PANASONIC、TDK、JRC、SANYO、MURATA、MOTOROLA、ROHM、TAIYO、TOSHIBA、KEC、LITEON、EVERLIGHT、ELNA、HITACHI ）等著名品牌产品。

深圳市瑞祺芯科技有限公司
联系我们：0755-28892389/89605089
联系人：李小姐/孟先生
联系QQ：2639752116/1668697665/3272088389/1300494240
办公地址：华强北振兴路振华大院华康大厦2栋210室

---

晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220相关产品