晶体管 IRF540NPBF MOSFET - 单

晶体管 IRF540NPBF MOSFET - 单 属性

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晶体管 IRF540NPBF MOSFET - 单 描述

IRF540NPBF介绍：
描述 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述 通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 71nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。


Siemens Semiconductors 在 1999 年 4 月 1 日更名为 Infineon Technologies。 这是一家充满活力和动力的公司，在全球微电子领域颇有建树。

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