晶体管 IRF6712STRPBF MOSFET - 单
晶体管 IRF6712STRPBF MOSFET - 单属性
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晶体管 IRF6712STRPBF MOSFET - 单描述
IRF6712STRPBF介绍:
描述 MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 17A(Ta),68A(Tc) 2.2W(Ta),36W(Tc) DIRECTFET? SQ
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.9 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.2W(Ta),36W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DIRECTFET? SQ
封装/外壳 DirectFET? 等容 SQ
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日,西门子半导体公司正式更名为Infineon,总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。
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