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TVS8501V5MUT5G

TVS8501V5MUT5G产品图片
  • 发布时间:2018/8/31 14:06:30
  • 所属类别:二极管 » 瞬变/瞬态抑制二极管
  • 公    司:深圳市宏辉电子科技有限公司

TVS8501V5MUT5G属性

  • ESD 抑制器/TVS 二极管
  • 0
  • ON

TVS8501V5MUT5G描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息
Vesd - 静电放电电压触点: 30 kV
Vesd - 静电放电电压气隙: 30 kV
极性: Unidirectional
通道数量: 1 Channel
端接类型: SMD/SMT
击穿电压: 6 V
工作电压: 5 V
钳位电压: 11.5 V
Ipp - 峰值脉冲电流: 70 A
Cd - 二极管电容 : 16 pF
封装 / 箱体: UDFN-2
Pd-功率耗散: -
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
产品类型: TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
工厂包装数量: 8000
子类别: TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
单位重量: 2.400 mg

详细说明
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