STFW3N150

STFW3N150属性

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STFW3N150描述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PF-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1500 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 29.3 nC
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: N-channel MDmesh
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
下降时间: 61 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 300
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 7 g

详细说明
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