晶体管 FQB1P50 FET-MOSFET
晶体管 FQB1P50 FET-MOSFET属性
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晶体管 FQB1P50 FET-MOSFET描述
FQB1P50介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10.5 欧姆 @ 750mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),63W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但随着半导体技术的进步,现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。
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