晶体管 UM6K31NTN MOSFET - 阵列

晶体管 UM6K31NTN MOSFET - 阵列属性

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晶体管 UM6K31NTN MOSFET - 阵列描述

UM6K31NTN介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
制造商标准提前期 10 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 150mW Surface Mount UMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 250mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15pF @ 25V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 UMT6
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

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