晶体管 MIMD10A-7-F 双极 (BJT) - 阵列

晶体管 MIMD10A-7-F 双极 (BJT) - 阵列属性

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晶体管 MIMD10A-7-F 双极 (BJT) - 阵列描述

MIMD10A-7-F介绍：
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 16 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 基底（R1） 100 欧姆，10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2） 10 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 500nA
频率 - 跃迁 250MHz，200MHz
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
基本零件编号 MD10A
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