晶体管 NP20P04SLG MOSFET

晶体管 NP20P04SLG MOSFET属性

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晶体管 NP20P04SLG MOSFET描述

NP20P04SLG介绍：
描述 MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 P 沟道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252（MP-3ZK）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。

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