存储器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM

存储器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM属性

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存储器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM描述

CY62167EV18LL-55BVXI介绍：
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
制造商标准提前期 11 周
详细描述 SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 55ns 48-VFBGA（6x8）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 MoBL®
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 16Mb （1M x 16）
写周期时间 - 字，页 55ns
访问时间 55ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.65 V ~ 2.25 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 48-VFBGA
供应商器件封装 48-VFBGA（6x8）
基本零件编号 CY62167
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你可能遇到的一种类型的存储芯片问题是灾难性的失效。这通常是在加工好之后芯片受到物理或者是电子损伤造成的。灾难性失效是少见的，通常影响芯片中的大部分。因为一大片区域受到影响，所以灾难性的失效当然可以被合适的测试算法检测到。

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