晶体管 BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET - 单
晶体管 BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET - 单属性
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晶体管 BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET - 单描述
BSZ097N04LSGATMA1介绍:
描述 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 14μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),35W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TSDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
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