晶体管 IXFH58N20 MOSFET - 单

晶体管 IXFH58N20 MOSFET - 单属性

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晶体管 IXFH58N20 MOSFET - 单描述

IXFH58N20介绍：
描述 MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述 通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 220nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 29A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD（IXFH）
封装/外壳 TO-247-3
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比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

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