晶体管 IRFHM830TRPBF MOSFET

晶体管 IRFHM830TRPBF MOSFET属性

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晶体管 IRFHM830TRPBF MOSFET描述

IRFHM830TRPBF介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 31nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2155pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta），37W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PQFN（3x3）
封装/外壳 8-VQFN 裸露焊盘
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金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的高级制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

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