电路保护 DF2B6.8ACT,L3F 二极管

电路保护 DF2B6.8ACT,L3F 二极管属性

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电路保护 DF2B6.8ACT,L3F 二极管描述

DF2B6.8ACT,L3F介绍；
描述 TVS DIODE 5V 7V CST2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 12 周
类别 电路保护
TVS - 二极管
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
类型 齐纳
双向通道 1
电压 - 反向关态（典型值） 5V（最大）
电压 - 击穿（最小值） 5.8V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp 7V（标准）
电流 - 峰值脉冲（10/1000μs） 1A（8/20μs）
功率 - 峰值脉冲 -
电源线路保护 无
应用 通用
不同频率时的电容 9pF @ 1MHz
工作温度 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-882
供应商器件封装 CST2

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

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