IPP120N20NFD

IPP120N20NFD属性

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IPP120N20NFD描述

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 84 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 70 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 10 ns
系列: XPP116N20
工厂包装数量: 500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IPP120N20NFDAKSA1 SP001108122
单位重量: 6 g

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