BSC039N06NS

BSC039N06NS属性

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BSC039N06NS描述

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 85 S / 42 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 69 W
上升时间: 12 ns
系列: BSC039N06
工厂包装数量: 5000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns

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