IXFB44N100P

IXFB44N100P属性

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IXFB44N100P描述

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 44 A
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 6.5 V
Qg-栅极电荷: 305 nC
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 56 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
上升时间: 68 ns
系列: IXFB44N100
商标名: Polar, HiPerFET
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 1.600 g

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