MRFE6S9060NR1
- 发布时间：2020/3/30 9:03:47
- 所属类别：其他未分类 » 其他未分类
- 公 司：深圳市金嘉锐电子有限公司
- 联 系 人：朱先生
MRFE6S9060NR1属性
- 电议
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- TO-270
- NXP
MRFE6S9060NR1描述
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
商标: NXP / Freescale
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 66 V
增益: 21.1 dB
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1 GHz
系列: MRFE6S9060NR1
工厂包装数量: 500
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
单位重量: 529.550 mg
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联系方式
- 联系人：朱先生
- 地 址：深圳福田区振兴路华康大厦211
- 邮 编：518000
- 电 话：086-0755-22929859
- 传 真：086-0755-83238620
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