TK10A60D
TK10A60D属性
- MOSFET
- TO-220-3
- Toshiba
TK10A60D描述
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
配置: Single
下降时间: 100 ns
Pd-功率耗散: 45 W
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 22 ns