MJD122T4G
MJD122T4G属性
- 达林顿晶体管
- TO-252-3
- ON
MJD122T4G描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: ON Semiconductor
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 8 A
最大集电极截止电流: 10 uA
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
封装: Reel
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100, 1000
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 20 W
系列: MJD122
工厂包装数量: 2500