PD85004

PD85004属性

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PD85004描述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
晶体管类型: LDMOS Power
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
晶体管极性: N-Channel
频率: 1 GHz
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
增益: 17 dB at 870 MHz
输出功率: 4 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 6 W
系列: PD85004
工厂包装数量: 2500

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