FQPF7N65C

FQPF7N65C 属性

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FQPF7N65C 描述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
下降时间: 55 ns
正向跨导 - 最小值: 8 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 50 ns
系列: FQPF7N65C
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 90 ns
零件号别名: FQPF7N65C_NL
单位重量: 2.270 g

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