PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：125mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：8 欧姆 @ 10mA，4V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：350pC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：18.5pF @ 5V
功率_最大：200mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：6-TSSOP
包装：剪切带 (CT)
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查看更多PMGD8000LN,115的供应商         发布时间：2025/7/23 16:26:00
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