PHD38N02LT,118

PHD38N02LT,118详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：44.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 25A，5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 20V
功率_最大：57.6W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：D-Pak
包装：带卷 (TR)
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查看更多PHD38N02LT,118的供应商         发布时间：2025/7/17 11:13:00
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