NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZTBG详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：二极管（隔离式）
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 10V
功率_最大：710mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装：6-WDFN（2x2）
包装：带卷 (TR)
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    NTLJD3182FZTBG

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查看更多NTLJD3182FZTBG的供应商         发布时间：2025/5/1 16:06:00
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