FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
系列：PowerTrench®
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET特点：二极管（隔离式）
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：142 毫欧 @ 2.3A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V
功率_最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-UMLP，6-MicroFET?
供应商设备封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
包装：带卷 (TR)
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  • 北京首天伟业科技有限公司

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  • FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 
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    厂家Vishay Semiconductors
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