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bdw93c 全国供应商、价格、PDF资料

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BDW93C详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 12A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):12A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
功率_最大:80W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:散装

BDW93C详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):12A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
功率_最大:80W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

BDW93CFP详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-220FP
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):12A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
功率_最大:33W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220FP
包装:管件

BDW93CFTU详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 12A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):12A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
功率_最大:80W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件

BDW93CTU详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 12A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):12A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
电流_集电极截止(最大):1mA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
功率_最大:80W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件

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