BZX884-B2V7 全国供应商、价格、PDF资料
BZX884-B2V7,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 2.7V 250MW SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:2.7V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:20µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:100 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:带卷 (TR)
BZX884-B2V7,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 2.7V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:2.7V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:20µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:100 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:剪切带 (CT)
BZX884-B2V7,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 2.7V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:2.7V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:20µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:100 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:Digi-Reel®
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 FCI CONN RCPT 51POS 1MM VERT SMD
- 网络、阵列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 10 OHM 4 RES 1206
- 热缩管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 2.4V SOD882
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 680PF 50V 10% X5R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 4.3PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 470PF 3KV 5% NP0 2225
- 陶瓷 Kemet 轴向 CAP CER 2200PF 50V 5% AXIAL
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 FCI CONN RECPT 51POS 1MM VERT SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 50V 10% X5R 0402
- 网络、阵列 Bourns Inc. 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 4.7PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)宽(长侧)2225(5664 公制) CAP CER 470PF 3KV 20% NP0 2225
- 陶瓷 Kemet 轴向 CAP CER 2200PF 50V 5% AXIAL
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 FCI CONN RECPT 51POS 1MM VERT SMD