BZX884-B18 全国供应商、价格、PDF资料
BZX884-B18,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 18V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:18V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 12.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:45 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:Digi-Reel®
BZX884-B18,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 18V 250MW SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:18V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 12.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:45 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:带卷 (TR)
BZX884-B18,315详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 250MW 18V SOD882
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:18V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:50nA @ 12.6V
- 容差:±2%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:45 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商设备封装:SOD-882
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 51PF 250V 5% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2700PF 2.5KVDC RADIAL
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 15V SOD882
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 250V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 1206
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH TRENCH 30V D-PAK
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 128K FLASH 32-QFN
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.027UF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.027UF 250V X7R 1206
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 48A DPAK
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC 8051 MCU 96K FLASH 48-QFN
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 500V 10% X7R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3300PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 51PF 300V 5% RADIAL