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ZXTP2009ZTA 全国供应商、价格、PDF资料

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ZXTP2009ZTA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP LO SAT 40V 5.5A SOT89
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):5.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):185mV @ 550mA,5.5A
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:152MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:剪切带 (CT)

ZXTP2009ZTA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP LO SAT 40V 5.5A SOT89
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):5.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):185mV @ 550mA,5.5A
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:152MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:Digi-Reel®

ZXTP2009ZTA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP LO SAT 40V 5.5A SOT89
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):5.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):185mV @ 550mA,5.5A
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:2.1W
频率_转换:152MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:带卷 (TR)

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