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ZXTD2M832TA 全国供应商、价格、PDF资料

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ZXTD2M832TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):3.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-MLP
供应商设备封装:8-MLP(3x2)
包装:带卷 (TR)

ZXTD2M832TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):3.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-MLP
供应商设备封装:8-MLP(3x2)
包装:Digi-Reel®

ZXTD2M832TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):3.5A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
频率_转换:180MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-MLP
供应商设备封装:8-MLP(3x2)
包装:剪切带 (CT)

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