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当前位置:网站首页 » 库存索引148 » 型号"ZXTCM322TA"的供应信息

ZXTCM322TA 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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ZXTCM322TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):320mV @ 200mA,4A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
频率_转换:165MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-MLP
供应商设备封装:3-MLP/DFN(2x2)
包装:剪切带 (CT)

ZXTCM322TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):320mV @ 200mA,4A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
频率_转换:165MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-MLP
供应商设备封装:3-MLP/DFN(2x2)
包装:带卷 (TR)

ZXTCM322TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):4A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):320mV @ 200mA,4A
电流_集电极截止(最大):25nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
频率_转换:165MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-MLP
供应商设备封装:3-MLP/DFN(2x2)
包装:Digi-Reel®

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