ZXTC2061E6TA 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTC2061E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 12V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5A，3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：剪切带 (CT)

ZXTC2061E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 12V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5A，3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：Digi-Reel®

ZXTC2061E6TA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANSISTOR DUAL 12V 1A SOT23-6

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN，PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：5A，3.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：180mV @ 100mA，5A / 200mV @ 350mA，3.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：480 @ 1A，2V / 290 @ 1A，2V

功率_最大：1.1W

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

包装：带卷 (TR)