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ZXT10P12DE6TA 全国供应商、价格、PDF资料

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ZXT10P12DE6TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SW PNP LO SAT 12V SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:1.1W
频率_转换:110MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:SOT-23-6
包装:剪切带 (CT)

ZXT10P12DE6TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SW PNP LO SAT 12V SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:1.1W
频率_转换:110MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:SOT-23-6
包装:Digi-Reel®

ZXT10P12DE6TA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS SW PNP LO SAT 12V SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):12V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA,3A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
功率_最大:1.1W
频率_转换:110MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
供应商设备封装:SOT-23-6
包装:带卷 (TR)

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