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ZXMHC10A07N8TC详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA，680mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：138pF @ 60V; 功率_最大：870mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

ZXMHC10A07N8TC详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA，680mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：138pF @ 60V; 功率_最大：870mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：Digi-Reel®

ZXMHC10A07N8TC详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：800mA，680mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫欧 @ 1.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：138pF @ 60V; 功率_最大：870mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：剪切带 (CT)

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