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当前位置:网站首页 » 库存索引167 » 型号"ZVNL110A"的供应信息

ZVNL110A 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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ZVNL110A详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:320mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

ZVNL110ASTOA详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:320mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZVNL110ASTOB详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:320mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZVNL110ASTZ详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:320mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:剪切带 (CT)

ZVNL110ASTZ详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:320mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)

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