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ZTX601 全国供应商、价格、PDF资料

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ZTX601详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS DARL NPN 160V 1A TO-92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

ZTX601A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

ZTX601ASTOA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZTX601ASTOB详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZTX601ASTZ详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR DARL NPN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)

ZTX601B详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS DARL NPN 160V 1A TO-92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):160V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 10mA,1A
电流_集电极截止(最大):10µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 500mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:250MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

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