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ZTX551 全国供应商、价格、PDF资料

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ZTX551详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 1000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes/Zetex
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 15mA,150mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:150MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

ZTX551详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 1000MA TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 15mA,150mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:150MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

ZTX551STOA详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 15mA,150mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:150MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZTX551STOB详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 15mA,150mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:150MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

ZTX551STZ详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):60V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 15mA,150mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:50 @ 150mA,10V
功率_最大:1W
频率_转换:150MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)

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