UVZ2E331MRH 全国供应商、价格、PDF资料
UVZ2E331MRH详细规格
- 类别：电容器
- 描述：CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
- 系列：VZ
- 制造商：Nichicon
- 电容：330µF
- 额定电压：250V
- 容差：±20%
- 寿命0a0温度：105°C 时为 1000 小时
- 工作温度：-40°C ~ 105°C
- 特点：通用
- 纹波电流：730mA
- ESR（等效串联电阻）：-
- 阻抗：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：径向，Can
- 尺寸/尺寸：0.866" 直径（22.00mm）
- 高度_座高（最大）：1.969"（50.00mm）
- 引线间隔：0.394"（10.00mm）
- 表面贴装占地面积：-
- 包装：散装
- 电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 330K OHM .40W 0.1% 2010
- 电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 单 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 电路板衬垫，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 33.0K OHM .40W 0.1% 2010
